Муфта ваз 2107: 21012202120 Муфта ВАЗ-2101-2107 эластичная БРТ — 2101-2202120 2101-2202120Р

Scott, J.F. Приложения современных сегнетоэлектриков. Наука 315 , 954–959 (2007).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Jeong, D. S. et al. Новые воспоминания: резистивные механизмы переключения и текущее состояние. Rep. Prog. Phys. 75 , 076502 (2012).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

Блом, П., Вольф, Р., Силлессен, Дж. И Крайн, М. Сегнетоэлектрический диод Шоттки. Phys. Rev. Lett. 73 , 2107–2110 (1994).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Jiang, A.Q. et al. Резистивная память в полупроводниковых тонкопленочных конденсаторах BiFeO3. Adv. Матер. 23 , 1277–1281 (2011).

CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

Цымбал, Э.Y. & Kohlstedt, H. Прикладная физика. Туннелирование сегнетоэлектрика. Science 313 , 181–183 (2006) Концепция сегнетоэлектрических туннельных переходов с обзором возможных механизмов, ответственных за эффект туннельного электросопротивления .

CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

Цымбал, Э. Ю., Груверман, А., Гарсия, В., Бибес, М., Бартелеми, А.Сегнетоэлектрические и мультиферроидные туннельные переходы. MRS Bull. 37 , 138–143 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Ямада, Х. и др. Гигантское электросопротивление супертетрагональных туннельных сегнетоэлектрических переходов на основе BiFeO3. ACS Nano 7 , 5385–5390 (2013).

CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

Вэнь, З., Li, C., Wu, D., Li, A. & Ming, N. Электросопротивление с усилением сегнетоэлектрического поля в туннельных переходах металл / сегнетоэлектрик / полупроводник. Нат. Матер. 12 , 617–621 (2013) Подтверждение концепции эффектов поляризационного заряда с использованием слаболегированного полупроводника в качестве электрода, что приводит к гигантским эффектам туннельного электросопротивления .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Пантель, Д.& Алексей, М. Эффекты электросопротивления в сегнетоэлектрических туннельных барьерах. Phys. Ред. B 82 , 134105 (2010).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Журавлев М., Сабирьянов Р., Ясвал С., Цымбал Э. Гигантское электросопротивление в сегнетоэлектрических туннельных переходах. Phys. Rev. Lett. 94 , 246802 (2005).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Кольштедт, Х., Перцев, Н., Родригес Контрерас, Дж. И Вазер, Р. Теоретические вольт-амперные характеристики сегнетоэлектрических туннельных переходов. Phys. Ред. B 72 , 125341 (2005).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Лефки, К. и Дорманс, Г. Дж. М. Измерение пьезоэлектрических коэффициентов тонких сегнетоэлектрических пленок. J. Appl. Phys. 76 , 1764 (1994).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Чжао, Дж.Л., Лу, Х. Х., Сан, Дж. Р. и Шен, Б. Г. Зависимость пьезоэлектрических свойств ультратонких пленок BiFeO3 от толщины. Phys. B Конденс. Matter 407 , 2258–2261 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Мавропулос П., Папаниколау Н. и Дедерихс П. Сложная зонная структура и туннелирование через переходы ферромагнетик / изолятор / ферромагнетик. Phys. Rev. Lett. 85 , 1088–1091 (2000).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Велев Дж., Дуан К., Белащенко К., Ясвал С. и Цымбал Э. Влияние сегнетоэлектричества на транспорт электронов в туннельных переходах Pt / BaTiO3 / Pt. Phys. Rev. Lett. 98 , 137201 (2007).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Велев, Дж.P. et al. Магнитные туннельные переходы с сегнетоэлектрическими барьерами: предсказание четырех состояний сопротивления из первых принципов. Nano Lett. 9 , 427–432 (2009).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Эсаки, Л., Лайбовиц, Р. Б. и Стайлз, П. Дж. Полярный переключатель. IBM Tech. Дискл. Бык. 13 , 2161 (1971).

Google Scholar

Kohlstedt, H., Перцев, Н. А. и Вазер, Р. Размерные эффекты на поляризацию в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках и концепция сегнетоэлектрических туннельных переходов, включая первые результаты. MRS Proc. 688 , C6.5.1 (2002).

Google Scholar

Фонг Д. Д. и др. Сегнетоэлектричество в ультратонких пленках перовскита. Наука 304 , 1650–1653 (2004).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Тенн, Д.A. et al. Исследование наноразмерного сегнетоэлектричества с помощью ультрафиолетовой рамановской спектроскопии. Наука 313 , 1614–1616 (2006).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Bune, A. V. et al. Двумерные сегнетоэлектрические пленки. Nature 391 , 874–877 (1998).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Ким Ю.S. et al. Критическая толщина сверхтонких сегнетоэлектрических пленок BaTiO3. Прил. Phys. Lett. 86 , 102907 (2005).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Petraru, A. et al. Ультратонкие эпитаксиальные пленки BaTiO3 типа клина для исследования эффектов скейлинга в сегнетоэлектриках. Прил. Phys. Lett. 93 , 72902 (2008).

Артикул CAS Google Scholar

Чу, Ю.H. et al. Сегнетоэлектрические размерные эффекты в тонких пленках мультиферроика BiFeO3. Прил. Phys. Lett. 90 , 252906 (2007).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Lichtensteiger, C. et al. Переход от монодоменного к полидоменному в сегнетоэлектрических тонких пленках PbTiO3 с электродами из La0,67Sr0,33MnO3. Прил. Phys. Lett. 90 , 052907 (2007).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Томпсон, К.и другие. Визуализация и выравнивание полосовых 180-градусных наноразмерных доменов в тонких сегнетоэлектрических пленках. Прил. Phys. Lett. 93 , 182901 (2008).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Béa, H. et al. Сегнетоэлектричество не менее 2 нм в мультиферроидных эпитаксиальных тонких пленках BiFeO3. Jpn J. Appl. Phys. 45 , L187 – L189 (2006).

Артикул CAS Google Scholar

Родригес Контрерас, Дж.и другие. Резистивное переключение в переходах металл – сегнетоэлектрик – металл. Прил. Phys. Lett. 83 , 4595 (2003).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Kohlstedt, H. et al. Метод отличия сегнетоэлектрика от несегнетоэлектрика при резистивном переключении в сегнетоэлектрических конденсаторах. Прил. Phys. Lett. 92 , 62907 (2008) Ключевая статья, в которой подчеркивается необходимость независимого исследования сегнетоэлектрического переключения и резистивного переключения в сегнетоэлектрических туннельных переходах, чтобы отличить туннельное электросопротивление от резистивного переключения, связанного с дефектами, .

Артикул CAS Google Scholar

Garcia, V. et al. Гигантское туннельное электросопротивление для неразрушающего считывания сегнетоэлектрических состояний. Nature 460 , 81–84 (2009) Первая демонстрация с использованием локальных датчиков корреляции между ориентацией сегнетоэлектрических доменов и туннельным сопротивлением, приводящей к гигантским эффектам туннельного электросопротивления .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Максимович, П.и другие. Поляризационное управление туннелированием электронов в сегнетоэлектрические поверхности. Science 324 , 1421–1425 (2009) Первая демонстрация одновременного сегнетоэлектрического и резистивного переключения при туннелировании Фаулера-Нордхейма через сегнетоэлектрик, объединяющий локальные зонды .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Gruverman, A. et al. Эффект туннельного электросопротивления в сегнетоэлектрических туннельных переходах на наноуровне. Nano Lett. 9 , 3539–3543 (2009).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Crassous, A. et al. Гигантское туннельное электросопротивление с туннельными сегнетоэлектрическими барьерами PbTiO3. Прил. Phys. Lett. 96 , 042901 (2010).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Kim, D. J. et al. Механически индуцированное резистивное переключение в туннельных сегнетоэлектрических переходах. Nano Lett. 12 , 5697–5702 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Ким, Г., Мазумдар, Д. и Гупта, А. Наноразмерные свойства электросопротивления полностью оксидного магнитоэлектрического туннельного перехода с ультратонким барьером из титаната бария. Прил. Phys. Lett. 102 , 052908 (2013).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Пантель, Д., Гетце, С., Гессе, Д., Алексей, М. Сегнетоэлектрическое резистивное переключение при комнатной температуре в ультратонких пленках Pb (Zr0.2Ti0.8) O3. ACS Nano 5 , 6032–6038 (2011).

CAS Статья Google Scholar

Chanthbouala, A. et al. Твердотельная память на основе туннельных сегнетоэлектрических переходов. Нат. Нанотехнологии. 7 , 101–104 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Гао, Х.С., Лю, Дж. М., Ау, К. и Дай, Дж. Ю. Наноуровневые сегнетоэлектрические туннельные переходы на основе ультратонкой пленки BaTiO3 и наноэлектродов Ag. Прил. Phys. Lett. 101 , 142905 (2012).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Chanthbouala, A. et al. Сегнетоэлектрический мемристор. Нат. Матер. 11 , 860–864 (2012) Прямая корреляция между неоднородными конфигурациями сегнетоэлектрических доменов, отображаемых внутри устройства, и туннельным сопротивлением с мемристическим поведением .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Kim, D. J. et al. Сегнетоэлектрический туннельный мемристор. Nano Lett. 12 , 5697–5702 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Зенкевич А. и др. Электронное выравнивание зон и электронный транспорт в сегнетоэлектрических туннельных переходах Cr / BaTiO3 / Pt. Прил. Phys. Lett. 102 , 062907 (2013).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Yin, Y. W. et al. Эффект усиленного туннельного электросопротивления из-за сегнетоэлектрического фазового перехода на границе раздела магнитного сложного оксида. Нат. Матер. 12 , 397–402 (2013) Фазовые переходы металл / диэлектрик и магнитные фазовые переходы, индуцированные сегнетоэлектрической поляризацией в сильно коррелированном оксиде и исследованные туннельным электросопротивлением .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Pantel, D. et al. Туннельное электросопротивление в переходах с ультратонкими сегнетоэлектрическими барьерами Pb (Zr0.2Ti0.8) O3. Прил. Phys. Lett. 100 , 232902 (2012).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Hambe, M. et al. Пересечение границы раздела: сегнетоэлектрический контроль туннельных токов в магнитных сложных оксидных гетероструктурах. Adv. Funct. Матер. 20 , 2436–2441 (2010).

CAS Статья Google Scholar

Бринкман, В. Ф. Туннельная проводимость асимметричных барьеров. J. Appl. Phys. 41 , 1915 (1970).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Lee, D. et al. Многоуровневая память для хранения данных с использованием детерминированного контроля поляризации. Adv. Матер. 24 , 402–406 (2011).

Артикул CAS Google Scholar

Чуа Л. Мемристор — недостающий элемент схемы. IEEE Trans. Circ. Теория 18 , 507–519 (1971).

Артикул Google Scholar

Эдерер К. и Спалдин Н. А. Влияние эпитаксиальной деформации на спонтанную поляризацию тонкопленочных сегнетоэлектриков. Phys. Rev. Lett. 95 , 257601 (2005).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Béa, H. et al. Доказательства мультиферроичности при комнатной температуре в соединении с гигантским отношением осей. Phys. Rev. Lett. 102 , 217603 (2009).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Zhang, J. X. et al.Микроскопическая природа гигантской сегнетоэлектрической поляризации в тетрагональном BiFeO3. Phys. Rev. Lett. 107 , 147602 (2011).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Seidel, J. et al. Проводимость на доменных стенках в оксидных мультиферроиках. Нат. Матер. 8 , 229–234 (2009).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Фарохипур, С.И Ноэда, Б. Проводимость через доменные стенки 71 ° в тонких пленках BiFeO3. Phys. Rev. Lett. 107 , 127601 (2011).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Jo, S.H. et al. Наноразмерное мемристорное устройство как синапс в нейроморфных системах. Nano Lett. 10 , 1297–1301 (2010).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Шиффер, П., Рамирес, А. П., Бао, В. и Чеонг, С.-В. Низкотемпературное магнитосопротивление и магнитная фазовая диаграмма La1-xCaxMnO3. Phys. Rev. Lett. 75 , 3336–3339 (1995).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Burton, J. D. & Tsymbal, E. Y. Эффект гигантского туннельного электросопротивления, вызванный электрически управляемым спиновым клапаном на границе раздела сложных оксидов. Phys. Rev. Lett. 106 , 157203 (2011).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Jiang, L. et al. Туннельное электросопротивление, индуцированное межфазными фазовыми переходами в сверхтонких оксидных гетероструктурах. Nano Lett. 13 , 5837–5843 (2013).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Бертон, Дж.Д., Цымбал Э. Ю. Магнитоэлектрические интерфейсы и спиновой транспорт. Philos. Пер. Математика. Phys. Англ. Sci. 370 , 4840–4855 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Ниранджан, М. К., Бертон, Дж. Д., Велев, Дж. П., Ясвал, С. С. и Цымбал, Э. Ю. Магнитоэлектрический эффект на границе SrRuO3 / BaTiO3 (001): исследование ab initio. Прил. Phys.Lett. 95 , 052501 (2009).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Сан Й., Бертон Дж. Д. и Цымбал Э. Я. Электроуправляемый магнетизм на тонкой пленке Pd. Phys. Ред. B 81 , 064413 (2010).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

ВАЗ, К.А.Ф. и др. Происхождение эффекта магнитоэлектрической связи в Pb (Zr0.2Ti0.8) Мультиферроидные гетероструктуры O3 / La0.8Sr0.2MnO3. Phys. Rev. Lett. 104 , 127202 (2010).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Бертон, Дж. И Цымбал, Э. Прогнозирование электрически индуцированной магнитной реконструкции на границе манганит / сегнетоэлектрик. Phys. Ред. B 80 , 174406 (2009).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Дуань, К., Jaswal, S. & Tsymbal, E. Прогнозируемый магнитоэлектрический эффект в мультислоях Fe / BaTiO3: сегнетоэлектрический контроль магнетизма. Phys. Rev. Lett. 97 , 047201 (2006).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

Ямаути К., Саньял Б. и Пикоцци С. Интерфейсные эффекты на переходе полуметалл / сегнетоэлектрик. Прил. Phys. Lett. 91 , 062506 (2007).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Fechner, M. et al. Магнитный фазовый переход в двухфазных мультиферроиках, предсказанный из первых принципов. Phys. Ред. B 78 , 212406 (2008).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Ли, Дж., Сай, Н., Цай, Т., Ниу, К., Демков, А. А. Межфазная магнитоэлектрическая связь в трехкомпонентных сверхрешетках. Phys. Ред. B 81 , 144425 (2010).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Duan, C.-G. и другие. Настройка магнитной анизотропии на границе раздела ферромагнетик / сегнетоэлектрик. Прил. Phys. Lett. 92 , 122905 (2008).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Мудера, Дж. С., Киндер, Л.Р., Вонг, Т. М. и Месерви, Р. Большое магнитосопротивление при комнатной температуре в туннельных ферромагнитных туннельных переходах. Phys. Rev. Lett. 74 , 3273–3276 (1995).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Журавлев М.Ю., Ясвал С.С., Цымбал Е.Ю., Сабирьянов Р.Ф. Сегнетоэлектрический переключатель для спиновой инжекции. Прил. Phys. Lett. 87 , 222114 (2005).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Gajek, M. et al. Туннельные переходы с мультиферроидными барьерами. Нат. Матер. 6 , 296–302 (2007) Новаторское наблюдение памяти четырех состояний сопротивления, сочетающей магнитный и сегнетоэлектрический порядки мультиферроидного туннельного барьера .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Валенсия, S.и другие. Межфазная мультиферроичность в BaTiO3 при комнатной температуре. Нат. Матер. 10 , 753–758 (2011).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Bocher, L. et al. Атомная и электронная структура интерфейса BaTiO3 / Fe в мультиферроидных туннельных переходах. Nano Lett. 12 , 376–382 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Гарсия, В.и другие. Сегнетоэлектрический контроль спиновой поляризации. Science 327 , 1106–1110 (2010) Первое косвенное свидетельство межфазной магнитоэлектрической связи, исследованное с помощью туннельного магнитосопротивления в искусственных мультиферроидных туннельных переходах .

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Пантель, Д., Гетце, С., Гессе, Д., Алекс, М. Обратимое электрическое переключение спиновой поляризации в мультиферроидных туннельных переходах. Нат. Матер. 11 , 1–5 (2012).

Артикул CAS Google Scholar

Garcia, V. et al. Температурная зависимость межфазной спиновой поляризации La2 / 3Sr1 / 3MnO3. Phys. Ред. B 69 , 052403 (2004).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Вэнь, З., Ю, Л., Ван, Дж., Ли, А. и Ву, Д.Температурно-зависимое туннельное электросопротивление в сегнетоэлектрических туннельных переходах Pt / BaTiO3 / SrRuO3. Прил. Phys. Lett. 103 , 132913 (2013).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Yin, Y. W. et al. Сосуществование туннельного магнитосопротивления и электросопротивления при комнатной температуре в мультиферроидных туннельных переходах La0,7Sr0,3MnO3 / (Ba, Sr) TiO3 / La0,7Sr0,3MnO3. J. Appl. Phys. 109 , 07D915 (2011).

Артикул CAS Google Scholar

Boyn, S. et al. Высокопроизводительная сегнетоэлектрическая память на основе полностью структурированных туннельных переходов. Прил. Phys. Lett. 104 , 052909 (2014).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Park, B.H. et al. Замещенный лантаном титанат висмута для использования в энергонезависимой памяти. Nature 401 , 682–684 (1999).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Ян С. М., Ким Т. Х., Юн Дж .-Г. И Но, Т. В. Наблюдение в наномасштабе зависящего от времени закрепления доменной стенки как источника поляризационной усталости. Adv. Funct. Матер. 22 , 2310–2317 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Янг, Дж. Дж. И др. Мемристивный механизм переключения для наноустройств металл / оксид / металл. Нат. Нанотехнологии. 3 , 429–433 (2008).

CAS Статья Google Scholar

Акбашев А. Р., Чен Г. и Спаниер Дж. Э. Простой способ получения монокристаллических эпитаксиальных тонких пленок оксида перовскита. Nano Lett. 14 , 44–49 (2014).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Хориучи, С.& Токура Ю. Органические сегнетоэлектрики. Нат. Матер. 7 , 357–366 (2008).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Чой, Дж., Хара, Г. С., Сонг, Ю. и Чжао, Ю. Нелинейное электрическое диполярное переключение в одномолекулярном масштабе. Chem. Phys. Lett. 410 , 339–342 (2005).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Qu, H.и другие. Манипулирование поляризацией в наномасштабе и переключение проводимости в ультратонких пленках сегнетоэлектрического сополимера. Манипулирование поляризацией в наномасштабе и переключение проводимости в ультратонких пленках сегнетоэлектрического сополимера. Прил. Phys. Lett. 4322 , 1–4 (2003).

Google Scholar

Кусума Д. Ю. и Ли П. С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства с туннельным переходом, изготовленные из монослоев олигомеров винилиденфторида. Adv. Матер. 24 , 4163–4169 (2012).

CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

Лопес-Энкарнасьон, Дж. М., Бертон, Дж. Д., Цымбал, Э. Я. и Велев, Дж. П. Органические мультиферроидные туннельные переходы с сегнетоэлектрическими барьерами из поливинилиденфторида. Nano Lett. 11 , 599–603 (2011).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

Велев, Ю.П., Лопес-Энкарнасьон, Дж. М., Бертон, Дж. Д., Цымбал, Э. Ю. Мультиферроидные туннельные переходы с поливинилиденфторидом. Phys. Ред. B 85 , 125103 (2012).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Lu, H. et al. Повышение стабильности поляризации сегнетоэлектриков с помощью инженерии интерфейсов. Adv. Матер. 24 , 1209–1216 (2012).

CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

Чанг, Х.J. et al. Картирование поляризации и электрических полей с атомарным разрешением на границах раздела сегнетоэлектрик / оксид с помощью Z-контрастного изображения. Adv. Матер. 23 , 2474–2479 (2011).

CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

Ю. П. и др. Интерфейсный контроль объемной поляризации сегнетоэлектрика. Proc. Natl Acad. Sci. США 109 , 9710–9715 (2012).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Ан, К.Х., Трисконе, Ж.-М. И Маннхарт, Дж. Эффект электрического поля в коррелированных оксидных системах. Nature 424 , 1015–1018 (2003).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Ямада, Х. и др. Сегнетоэлектрический контроль изолятора Мотта. Sci. Отчет 3 , 2834 (2013).

Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

Крассоус, А.и другие. Наноразмерное электростатическое манипулирование квантами магнитного потока в гетероструктурах сегнетоэлектрик / сверхпроводник BiFeO3 / YBa2Cu3O7-δ. Phys. Rev. Lett. 107 , 247002 (2011).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

Mirhosseini, H. et al. К сегнетоэлектрическому контролю спин-орбитальной связи Рашбы: Bi на BaTiO3 (001) из первых принципов. Phys. Ред.В 81 , 073406 (2010).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Мирон И. М. и др. Управляемый током вращающий момент, вызванный эффектом Рашбы в слое ферромагнитного металла. Нат. Матер. 9 , 230–234 (2010).

Артикул ОБЪЯВЛЕНИЯ CAS Google Scholar

Цымбал Э. Ю., Груверман А. Сегнетоэлектрические туннельные переходы: за барьером. Нат. Матер. 12 , 602–604 (2013).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ PubMed PubMed Central Google Scholar

Стенгель М., Вандербильт Д. и Спалдин Н. А. Повышение сегнетоэлектричества на границах раздела металл-оксид. Нат. Матер. 8 , 392–397 (2009).

CAS Статья ОБЪЯВЛЕНИЯ Google Scholar

Журавлев, М.